Numéro de produit du fabricant:
TSM160N10LCR RLG
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM160N10LCR RLG-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Description détaillée:
N-Channel 100 V 46A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Inventaire:
10887 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12897845
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SOUMETTRE
TSM160N10LCR RLG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
46A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
16mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4431 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
83W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-PDFN (5x6)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
TSM160
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
TSM160N10LCR RLGTR
TSM160N10LCR RLGDKR
TSM160N10LCRRLGDKR
TSM160N10LCR RLGTR-DG
TSM160N10LCR RLGDKR-DG
TSM160N10LCR RLGCT-DG
TSM160N10LCRRLGCT
TSM160N10LCRRLGTR
TSM160N10LCR RLGCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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